理工学部/大学院理工学研究科 三浦正志教授／リーディングリサーチャー（専門分野：電子・電気材料工学、電磁現象学、超伝導工学、結晶成長学）の共同論文(M. DC, et al.) 「PtxSn1−x合金による磁化反転と検出（Magnetization switching and detection by PtxSn1−x alloys）」と題された研究は、米国物理学協会の"Applied Physics Reviews"に掲載されました。
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Applied Physics Reviewsは、AIP（米国物理学協会）が発行する、応用物理学分野における最新の研究成果をレビューするジャーナル誌です。論文の影響度を測る指標であるインパクトファクターは、16.5と用物理学分野の世界トップレベルの論文です。
今回の研究は、三浦教授が米国スタンフォード大学の客員研究員・JST創発的研究事業研究員としてスタンフォード大学のM. Dangi Chhetri博士(現 米国インテル)らと共同で研究を行ってきたものです。近年、電子回路の低消費電力化の観点から超高速、超高密度、高耐久性の不揮発性メモリが求められています。磁気抵抗メモリ（MRAM）は、ランダムアクセスメモリの一種であり、不揮発性に加えて、高速動作、極めて高い耐久性など、大変優れた特性を持つため、世界中で研究開発が盛んに行われています。
本研究で作製したPtxSn1−xは、デバイスを作製し性能を調べたところ、高いスピン軌道トルク性能指数、大きなスピン電荷変換信号、低い磁化反転電流密度、そして量産に向けた産業レベルでの適合性により、磁気メモリおよびロジックデバイスへの応用に有望な材料であることが明らかになりました。